超高真空溅射系统

产品型号：

厂商性质：生产厂家

所在地：北京市

更新日期：2020-07-09

产品概况：

超高真空溅射系统

(Ulvac Ultra-high Vacuum Sputtering System)

仪器先容/Instrument introduction:

真空度高且减小了颗粒影响的研究开辟用溅射设备-超高真空溅射系统，该设备可以应用于硬盘磁头的磁性多层膜、太阳能电池的透明电极、MEMS用绝缘材料等产品的研究开辟和少量生产。

溅射设备的真空度通常为5×10-6Pa左右，JSP-8000则能够达到7×10-7Pa。而且，溅射方式采用了使阴极和晶圆直立的“Side deposition methode”。颗粒附着量仅为该企业晶圆和阴极上下配置的传统产品的1/30。膜厚分布和膜特性经过确认，均达到了该企业现有产品的水平。 

受到电子部件开发周期缩短的影响，使用同一台生产设备进行研究开发和少量生产的要求日趋强烈。为此，在研究开发用设备中，加入了能够向成膜室内自动运送晶圆的晶圆搬运设备和能够提高成膜速度的阴极。通过以上措施，处理速度能够比以往的研究开发设备提高5～10倍。 

主要用途/Applications：

        溅射沉积Pd、Ti、Zr、Ta、Al、Cu、W、 NiFe、FeMn,、CoFeS等各种纳米级单层或多层纳米厚度膜（通常低于50nm)。

设备特点/Features：

可做超薄薄膜

可做多层薄膜（有五个靶源）

技术指标/Specifications：

极限真空：优于1×10-6 Pa

膜厚: 0nm～100nm

溅射速率：2-4nm/min

薄膜均匀性与重复性：3英寸衬底均匀性优于±2 % ，重复性优于±2%

靶材尺寸：2英寸；5个靶位；1RF源，2DC源

基片尺寸：3英寸基片与破片